Samsung und Broadcom wollen ihre Zusammenarbeit bei Speicherchips, Auftragsfertigung und moderner Chip-Verpackung deutlich ausweiten. Beide Unternehmen unterzeichneten am 24. Juli 2026 Ortszeit beim AI Summit im Veranstaltungszentrum The Midway in San Francisco eine Absichtserklärung. Samsung Electronics veröffentlichte die Vereinbarung am 25. Juli. Der erwartete Umfang der Kooperation soll in den kommenden fünf Jahren bis einschließlich 2030 mehr als 200 Milliarden US-Dollar erreichen.
An der Bekanntgabe nahmen unter anderem Jinman Han, Leiter des Foundry-Geschäfts von Samsung Electronics, Broadcom-Chef Hock Tan, weitere Führungskräfte beider Konzerne und Vertreter der südkoreanischen Regierung teil. Der Gipfel fand im Rahmen des Besuchs des südkoreanischen Präsidenten Lee Jae Myung in San Francisco statt. Die genannte Summe beschreibt den von den Partnern erwarteten Umfang der Zusammenarbeit. Einzelne verbindliche Bestellmengen, Preise oder Abnahmepläne wurden zunächst nicht veröffentlicht. Damit handelt es sich nicht um einen ausgewiesenen Kaufpreis, sondern um den über mehrere Geschäftsfelder erwarteten Wert der geplanten Kooperation.
Ein Schwerpunkt der Partnerschaft liegt auf Hochleistungsspeicher für Rechenzentren. Samsung soll Broadcom mit High Bandwidth Memory, kurz HBM, für kommende KI-Beschleuniger versorgen. Diese Speichertechnik ermöglicht einen besonders schnellen Datenaustausch zwischen Prozessor und Speicher und zählt deshalb zu den zentralen Komponenten leistungsfähiger Systeme für künstliche Intelligenz.
Broadcom entwickelt kundenspezifische Schaltkreise, sogenannte ASICs, für große Technologiekonzerne. Solche Chips werden auf klar definierte Aufgaben zugeschnitten und kommen zunehmend als Alternative oder Ergänzung zu universell einsetzbaren Grafikprozessoren zum Einsatz. Mit der Absichtserklärung wollen die Unternehmen Broadcoms Entwurfskompetenz mit Samsungs Speicherproduktion, Fertigungstechnik und Verpackungslösungen verbinden. Damit reagiert die Industrie auf den steigenden Bedarf an spezialisierten Chips und integrierten Systemen für KI-Anwendungen und Hochleistungsrechnen.
Samsung verweist dabei auf seine jüngsten Fortschritte bei der nächsten Speichergeneration. Der Konzern begann im Februar mit der Auslieferung von HBM4 aus der Serienproduktion und stellte im Mai erste HBM4E-Muster für Kunden bereit. Diese Produkte sollen höhere Datenraten mit besserer Energieeffizienz verbinden. Welche konkrete HBM-Generation Broadcom in welchen Mengen abnehmen wird, wurde in der Absichtserklärung allerdings nicht beziffert.
Im Foundry-Bereich soll Samsung künftig Produkte von Broadcom mit Fertigungsverfahren von zwei Nanometern und darunter produzieren. Genannt werden unter anderem Kommunikationschips für besonders schnelle Datenübertragungen. Je kleiner die Strukturbreite, desto mehr Schaltelemente lassen sich grundsätzlich auf einer begrenzten Fläche unterbringen. Für Rechenzentren sind dabei neben der Rechenleistung vor allem Energieeffizienz und Wärmeentwicklung entscheidend.
Die Zusammenarbeit soll außerdem fortschrittliche Verpackungstechniken auf Basis des Zwei-Nanometer-Verfahrens einschließen. Vorgesehen sind sogenannte 2.3D- und 2.5D-Integrationen, bei denen mehrere Chipbestandteile besonders eng miteinander verbunden werden. Samsung will Entwicklung und Fertigung enger verzahnen, von der gemeinsamen Optimierung des Chipdesigns über die Produktion bis zur Verpackung. Dadurch sollen Entwicklungszeiten sinken und Leistung sowie Stromverbrauch besser aufeinander abgestimmt werden.
Für Samsung ist das Vorhaben auch industriepolitisch bedeutsam. Der Konzern versucht, sein Geschäft als Auftragsfertiger auszubauen und den Abstand zum Marktführer TSMC zu verringern. Langfristige Produktionszusagen eines großen Entwicklers kundenspezifischer KI-Chips könnten zugleich die Auslastung moderner Samsung-Fabriken verbessern.
An der Börse war die Lage zuletzt deutlich schwächer. Die Samsung-Electronics-Aktie schloss am Freitag, 24. Juli, in Seoul bei 249.500 koreanischen Won. Das waren 20.500 Won oder 7,59 Prozent weniger als am Vortag. Während des Handelstages bewegte sich der Kurs zwischen 247.000 und 266.500 Won. Auch der südkoreanische Leitindex Kospi geriet stark unter Druck und verlor 5,72 Prozent.
Der Rückgang war Teil eines breiten Ausverkaufs am südkoreanischen Aktienmarkt. Steigende geopolitische Spannungen im Nahen Osten, höhere Ölpreise und anziehende Renditen von US-Staatsanleihen belasteten die Stimmung. Ausländische und institutionelle Investoren verkauften große Aktienpakete, während Privatanleger erhebliche Summen in Samsung und andere Chipwerte lenkten. Die hohe Bedeutung von Samsung Electronics und SK Hynix für den Kospi verstärkt die Ausschläge des gesamten Index. Südkoreas Finanzaufsicht zog deshalb strengere Einzahlungsvorgaben für den Handel mit gehebelten Einzelaktien-ETFs auf den 31. Juli vor.
Der Kursrutsch lässt sich zeitlich nicht als Reaktion auf die neue Vereinbarung mit Broadcom einordnen. Der Handel in Seoul war bereits beendet, als die Absichtserklärung in San Francisco bekanntgegeben wurde. Am Wochenende blieb die koreanische Börse geschlossen. Eine unmittelbare Marktreaktion auf die Nachricht kann daher erst mit dem nächsten Handelstag sichtbar werden.
Analysten hatten bereits vor der Vereinbarung vor hohen Schwankungen im Halbleitersektor gewarnt. Im Mittelpunkt standen die Frage, wie lange das starke Wachstum der Speicherpreise anhält, und das Risiko, dass neue Produktionskapazitäten später zu einem Überangebot führen könnten. Kiwoom Securities senkte Anfang Juli sein Kursziel für Samsung Electronics um neun Prozent. JPMorgan bezeichnete die Entwicklung der Speicherpreise in der zweiten Jahreshälfte als entscheidenden Faktor. Die Broadcom-Partnerschaft liefert Samsung nun ein langfristiges strategisches Signal, ersetzt aber noch keine endgültigen Angaben zu Aufträgen, Umsätzen oder Erträgen.
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